Oversigt

1700V og 2200V SiC Schottky-dioder er høj-strømensrettere designet til høj-frekvens og høj-effektkonvertering. Sammenlignet med konventionelle silicium-hurtiggendannelsesdioder giver SiC-teknologi ekstremt lav omvendt-gendannelsesadfærd, reducerede koblingstab og fremragende høj-temperaturstabilitet. Serien er velegnet til høj-strømforsyninger, laserstrømforsyninger, røntgensystemer, kondensatoropladning, elektrostatisk udstyr og industriel-højfrekvent effektelektronik.

Produktsortiment

Produktserie	Maksimal repetitiv omvendt spænding	Nuværende klasse	Teknologi	Hovedfordel
1700V SiC	1700V	Op til 10A	SiC Schottky	Ultra-hurtig skift
2200V SiC	2200V	Op til 10A	SiC Schottky	Høj-drift

Nøglefunktioner

* 1700V og 2200V højspænding-

* Siliciumcarbid Schottky diodeteknologi

* Stort set ingen konventionel omvendt-gendannelsesstrøm

* Meget lave koblingstab

* Mulighed for høj-omskiftning

* Lavt omvendt-inddrivelsesgebyr

* Fremragende ydeevne ved høj-temperatur

* Høj effekttæthed

* Reduceret koblingsbelastning på strømenheder

* Velegnet til kompakte-højfrekvente strømforsyninger

* TO-220 og tilpassede pakkemuligheder tilgængelige i henhold til produktdesign

Hvorfor vælge SiC i stedet for konventionelle silicium-hurtiggendannelsesdioder?

Konventionelle silicium-hurtiggendannelsesdioder bruger en PN-forbindelse og kræver, at lagret ladning fjernes under sluk-. SiC Schottky-teknologi eliminerer den konventionelle minoritets-bærerlagringsmekanisme, der er forbundet med gendannelse af silicium PN junction, hvilket gør den særligt velegnet til høj-omskiftningsapplikationer.

SiC vs. Silicon Fast Recovery Diode

Feature	Silicium hurtig gendannelsesdiode	SiC Schottky Diode
Halvleder materiale	Silicium	Siliciumcarbid
Junction Type	PN Junction	Schottky
Omvendt gendannelse	Tit af nanosekunder	Ekstremt lav / stort set ingen konventionel genopretning
Skiftende tab	Højere	Sænke
Høj-drift	God	Fremragende
Omvendt-inddrivelsesgebyr	Højere	Meget lav
Høj-temperaturstabilitet	God	Fremragende
Effekttæthed	Moderat	Høj
Høj-strømforsyning	Egnet	Stærkt anbefalet
Effektivitetsoptimering	Begrænset af inddrivelsestab	Fremragende potentiale
Systemstørrelse	Konventionel	Kan understøtte mere kompakte designs

Teknisk specifikation

Parameter	1700V serien	2200V serien
Halvleder	SiC	SiC
Enhedstype	Schottky diode	Schottky diode
VRRM	1700V	2200V
Nuværende klasse@160 grader	Op til 10A*	Op til 10A*
Overspændingsstrøm	54A	54A
Fremadspænding	1.4V	2.0V
Lækstrøm	5uA	5uA
Krydstemperatur-	-55~175grad	-55~175grad
Opbevaringstemperatur	-55~175grad	-55~175grad
Pakke	TO-220-2L	TO-220-2L
Omvendt gendannelse	Ekstremt lavt	Ekstremt lavt
Skiftefrekvens	Høj-kapacitet	Høj-kapacitet
Driftstemperatur	Ansøgningsafhængig	Ansøgningsafhængig

1700V SiC diode

1700V SiC Schottky-diode til høj-strømforsyninger
1700V SiC Schottky-dioden er designet til applikationer, der kræver høj blokeringsspænding, hurtig kobling og lave koblingstab.
Med en spænding på 1700V kan det overvejes at opgradere 1600V--klasse silicium-hurtiggendannelses-ensrettere, når kredsløbets spændingsmargin, termiske forhold og elektriske egenskaber er korrekt verificeret.

Anbefalede applikationer

* Høj-omskiftende strømforsyninger
* DC-strømforsyninger med høj-spænding
* PFC kredsløb
* LLC resonanskonvertere
* Høj-DC-DC-konvertere
* Laser strømforsyninger
* Industrielle strømforsyninger
* Røntgen- og medicinske strømforsyninger
* Høj-opladningssystemer til kondensatorer
* Pulsstrømsystemer
* RF- og-højfrekvent udstyr
* Elektrostatiske strømforsyninger

2200V SiC diode

2200V SiC Schottky-diode til høj-strømkonvertering
2200V SiC Schottky-dioden er udviklet til høj-højspændingsapplikationer, der kræver en højere blokerings-spændingsmargin end konventionelle 1700V-enheder.
Den er velegnet til høj-spændingsretificering og høj-effektkonvertering, hvor reducerede koblingstab og høj-temperaturdrift er vigtige.

Anbefalede applikationer
* 2kV-klasse høj-strømforsyninger
* Industrielle højspændingsensrettere-
* Høj-strømomformere
* Laser strømforsyninger
* X-højspændingsgeneratorer-
* Medicinsk-højspændingsudstyr
* Elektrostatiske udskillere
* Elektrostatisk sprøjteudstyr
* Høj-kondensatoropladning
* Pulskraftudstyr
* Høj-industrielt udstyr

Udskiftningsovervejelser

Kan en SiC-diode erstatte en silicium-hurtiggendannelsesdiode?
I mange applikationer kan en SiC Schottky-diode bruges som en opgradering eller erstatning for en silicium-hurtiggendannelsesdiode, men den bør ikke behandles som en universel udskiftning af ben-til-ben.

Inden den originale siliciumdiode udskiftes, bør ingeniører verificere:

1. Omvendt spændingsmærke
2. Gennemsnitlig fremstrøm
3. Spids- og overspændingsstrøm
4. Fremadgående spændingsfald
5. Junction kapacitans
6. Termisk modstand
7. Skiftefrekvens
8. Pakke og pin-konfiguration
9. PCB-krybning og frigang
10. Systemspændingstransienter og sikkerhedsmargin

Fordele ved høj-applikationer

Lavere koblingstab

Den meget lave omvendte-gendannelsesadfærd af SiC Schottky-dioder hjælper med at reducere sluk--tab sammenlignet med konventionelle silicium PN hurtige-gendannelses-ensrettere.

Højere skiftefrekvens

Lavere koblingstab kan gøre det muligt for designere at øge koblingsfrekvensen og samtidig bevare den termiske ydeevne.

Højere effekttæthed

Højere koblingsfrekvenser kan hjælpe med at reducere størrelsen af magnetiske komponenter, filtre og andre passive komponenter, hvilket muliggør mere kompakte strøm-konverteringssystemer.

Forbedret termisk ydeevne

Lavere koblingstab kan reducere varmeudviklingen i højfrekvente effektkonverteringstrin og give større fleksibilitet til termisk design.

Høj-temperaturdrift

SiC er i sagens natur velegnet til krævende-højtemperatureffektelektronikapplikationer og giver fremragende termisk stabilitet.

Typiske applikationer

01/

Høj-strømforsyninger

SiC ensrettere er velegnede til højfrekvente strømkonverteringssystemer, hvor konventionelle siliciumdiode-gendannelsestab bliver betydelige.

02/

Laser strømforsyninger

Den høje-spændingsblokeringsevne og hurtige koblingsegenskaber gør SiC-dioder velegnede til kompakte laserstrømforsyningsarkitekturer.

03/

Røntgen- og medicinske højspændingssystemer-

1700V- og 2200V-serien kan evalueres for høj-enretnings- og kondensatoropladningstrin i medicinsk og industrielt røntgenudstyr.

04/

Elektrostatisk udstyr

Applikationerne omfatter elektrostatiske udskillere, elektrostatiske sprøjtesystemer og andre-højspændings DC-strømforsyninger.

05/

Industrielle-strømforsyninger med høj spænding

SiC-teknologi kan forbedre effektiviteten og switchydeevnen i industrielle-strømkonverteringssystemer med høj spænding.

Tilpassede SiC-diodeløsninger

Vi understøtter tilpassede højspændings SiC-diodeløsninger til OEM og industrielle applikationer.
Tilpasning kan diskuteres i henhold til:
* Spændingsmærke
* Nuværende vurdering
* Krav til fremadspænding
* Skifteegenskaber
* Pakketype
* Lead konfiguration
* Termiske krav
* Krav til elektriske test
* Applikations-specifikke effektivitetsmål

Til OEM-projekter med høj-spænding kan kunderne levere kredsløbsspænding, driftsstrøm, koblingsfrekvens, driftstemperatur og eksisterende diodemodel. Vores ingeniørteam kan anbefale en passende 1700V eller 2200V SiC-løsning.

Populære tags: hpt series hv diode, Kina hpt series hv diode producenter, leverandører